『SiC功率半导体器件』

　　碳化硅功率半导体属于第三代半导体，对比目前较为普及的硅材料功率半导体器件，具有耐高压、耐高温、关断频率高、损耗低等优点，更适合应用在目前更被看好的800V高压电驱动系统中，以及配套的1000V高压直流快充。

　　据悉，理想汽车功率半导体研发及生产基地由理想汽车与湖南三安半导体共同出资组建的苏州斯科半导体公司打造，预计2022年内竣工后进入设备安装和调试阶段，2024年正式投产。理想汽车联合创始人兼总裁沈亚楠表示，自主研发和生产第三代半导体碳化硅车规功率模块，将有助于确立理想汽车的技术和产品领先优势，同时有效确保量产供应。（文/汽车之家 孙一超）